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2019年下半年全球FAB廠(chǎng)設(shè)備支出反彈,預(yù)計(jì)2020年將更強(qiáng)勁
2019-12-23

    《世界晶圓廠(chǎng)預(yù)測(cè)》(World fab Forecast)今日發(fā)布的下半年報(bào)告顯示,由于上半年表現(xiàn)疲弱,今年下半年內(nèi)存投資激增,預(yù)計(jì)2019年全球晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出已上調(diào)至566億美元。報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,2018年至2019年,晶圓廠(chǎng)設(shè)備投資僅下降7%,較之前預(yù)測(cè)的18%降幅明顯改善。不斷增長(zhǎng)的內(nèi)存投資(尤其是3D NAND)為這一轉(zhuǎn)變提供了動(dòng)力。 

    SEMI還將其2020年工廠(chǎng)設(shè)備投資預(yù)測(cè)修正為更樂(lè)觀的580億美元。圖1中的黃色趨勢(shì)線(xiàn)顯示,2018年下半年和2019年上半年的總投資分別下降了10%和12%,這一反彈打破了全球制造業(yè)設(shè)備支出放緩的局面。2019年前6個(gè)月,由于3D NAND領(lǐng)域的投資受到特別嚴(yán)重的打擊,fab內(nèi)存設(shè)備支出下降38%,至100億美元以下,較2018年下半年暴跌57%。DRAM投資在2018年下半年下降了12%,今年上半年又下降了12%。 

Fab_equipment_spending.png

    下降趨勢(shì)在2019年底突然轉(zhuǎn)變。目前,在臺(tái)積電(TSMC)和英特爾(Intel)的帶動(dòng)下,2019年下半年,對(duì)尖端邏輯和鑄造業(yè)的投資預(yù)計(jì)將攀升26%,同期3D NAND支出將飆升逾70%。雖然今年上半年DRAM投資繼續(xù)下降,但7月份以來(lái)的下降幅度較為平緩。

    在索尼的帶動(dòng)下,圖像傳感器的支出預(yù)計(jì)在2020年上半年將增長(zhǎng)20%,下半年將飆升90%以上,達(dá)到16億美元的峰值。由英飛凌、ST微電子和博世公司推動(dòng)的電力相關(guān)設(shè)備投資預(yù)計(jì)在2020年上半年將增長(zhǎng)40%以上,下半年將增長(zhǎng)29%,達(dá)到近17億美元。